Toshiba Luncurkan MOSFET SiC Generasi ke-3 650V Dalam Paket DFN8x8
- Empat perangkat baru ini meningkatkan efisiensi dan kepadatan daya peralatan industri -
Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") meluncurkan empat MOSFET Silikon Karbida (SiC) 650V dilengkapi chip [1] MOSFET SiC generasi ke-3 terbaru dan ditempatkan dalam paket DFN8x8 yang ringkas sehingga cocok untuk peralatan industri seperti Switched-Mode Power Supply (SMPS) dan pengkondisi daya untuk generator fotovoltaik. Pengiriman volume TW031V65C,” “ TW054V65C,” “ TW092V65C,” dan “ TW123V65C” dimulai hari ini.
Produk baru ini adalah MOSFET SiC generasi ke-3 pertama yang menggunakan paket DFN8x8 ukuran kecil yang dipasang di permukaan sehingga mengurangi volume hingga lebih dari 90% dibandingkan paket yang disisipi timah, misalnya TO-247 dan TO-247-4L(X), selain meningkatkan kepadatan daya peralatan. Pemasangan pada permukaan juga memungkinkan penggunaan komponen impedansi parasit[2] lebih kecil dibanding komponen paket yang disisipi timah, sehingga mengurangi switching loss. DFN8x8 adalah paket 4 pin [3] yang memungkinkan penggunaan koneksi Kelvin dari terminal sumber sinyalnya untuk gate drive. Produk ini mengurangi efek induktansi kabel sumber dalam paket sehingga meningkatkan kinerja switching kecepatan tinggi. Untuk TW054V65C, hal ini mengurangi turn-on loss hingga sekitar 55% dan turn-off loss sekitar 25% [4] dibandingkan produk-produk Toshiba saat ini, [5] sehingga membantu mengurangi kehilangan daya pada peralatan.
Toshiba akan terus memperluas jajaran produknya untuk berkontribusi terhadap peningkatan efisiensi dan memperbesar kapasitas daya.
Catatan:
[1] Per Mei 2025.
[2] Resistansi, induktansi, dan lain-lain
[3] Produk dengan pin sumber sinyal yang terhubung dekat dengan chip FET.
[4] Per Mei 2025, nilai yang diukur oleh Toshiba. Untuk rinciannya, lihat Gambar 1 dalam versi rilis ini di situs web Toshiba.
[5] MOSFET SiC generasi ke-3 650V dengan tegangan setara dan On-resistance yang menggunakan paket TO-247 tanpa koneksi Kelvin.
Penggunaan
• Catu daya mode switching pada server, pusat data, peralatan komunikasi, dan lain-lain.
• Stasiun pengisian daya kendaraan listrik
• Inverter fotovoltaik
• Uninterruptible Power Supply (UPS)
Fitur
• Paket DFN8x8 yang dipasang di permukaan. Memungkinkan ukuran peralatan lebih kecil dan perakitan otomatis. Switching loss rendah.
• MOSFET SiC generasi ke-3 dari Toshiba
• Ketergantungan pada suhu yang baik dari On-resistance drain-source dengan optimalisasi resistansi drift dan rasio resistansi saluran
• On-resistance drain-source yang rendah x muatan gate-drain
• Tegangan maju dioda rendah: V DSF =-1,35V (tip.) (VGS =-5V)
Spesifikasi Utama
| (kecuali disebutkan lain, Ta =25 ℃) | ||||||
Nomor suku cadang | |||||||
Paket | Nama | DFN8x8 | |||||
Ukuran (mm) | Tip. | 8.0×8.0×0,85 | |||||
Peringkat Maksimum Absolut | Tegangan drain-source VDSS (V) | 650 | |||||
Tegangan gate-source VGSS (V) | -10 sampai 25 | ||||||
Drain current (DC) ID (A) | Tc =25 °C | 53 | 36 | 27 | 18 | ||
Karakteristik Listrik | On-resistance Drain-Source RDS(ON) (mΩ) | VGS =18V | Tip. | 31 | 54 | 92 | 123 |
Tegangan ambang gate Vth (V) | VDS =10V | 3,0 sampai 5,0 | |||||
Total muatan listrik gate Qg (nC) | VGS =18V | Tip. | 65 | 41 | 28 | 21 | |
Muatan listrik Gate-drain Qgd (nC) | VGS =18V | Tip. | 10 | 6.2 | 3.9 | 2.3 | |
Kapasitansi Input Ciss (pF) | VDS =400V | Tip. | 2288 | 1362 | 873 | 600 | |
Tegangan maju dioda VDSF (V) | VGS =-5V | Tip. | -1,35 | ||||
Pemeriksaan & Ketersediaan Sampel | |||||||
Tautan terkait
Fitur MOSFET SiC generasi ketiga
Perbandingan antara MOSFET SiC dan IGBT Si
Peringkat Maksimum Absolut dan Karakteristik Listrik MOSFET SiC
Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih jauh tentang semua produk baru ini.
Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih lengkap tentang Perangkat Daya SiC Toshiba.
Untuk memeriksa ketersediaan produk baru di distributor online, kunjungi:
TW031V65C
TW054V65C
TW092V65C
TW123V65C
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin adalah merek dagang milik masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
19.400 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.
Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/20250519603867/en
Contacts
Pertanyaan Pelanggan
Power & Small Signal Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2216
Pertanyaan Media
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Penulis : Adityawarman
